製造商: Toshiba
產品類別: MOSFET
RoHS: 是
技術: Si
安裝方式: SMD/SMT
封裝/外殼: DPAK-3
電晶體極性: N-Channel
通道數: 1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓: 600 V
Id - 連續漏極電流: 5.4 A
Rds On - 漏極-源極電阻: 900 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 閘極-源極閾值電壓: 2.7 V
Qg - 閘極電荷: 10.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散: 60 W
通道模式: Enhancement
商標名稱: DTMOSIV
包裝: 10pcs*10/Reel Cut
配置: Single
下降時間: 7 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 18 ns
系列: TK5P60W
子類別: MOSFETs
電晶體類型: 1 N-Channel
典型關斷延遲時間: 50 ns
典型開啟延遲時間: 40 ns
寬度: 5.5 mm
單位重量: 360 mg
| 產品 # | TK-TK5P60WRVQS-100 |
|---|---|
| 重量 | 50 g |
| 商品包裝尺寸 | 12 x 2 x 15 cm |
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