製造商: Toshiba產品類別: MOSFETRoHS: 是技術: Si安裝方式: SMD/SMT封裝/外殼: DPAK-3電晶體極性: N-Channel通道數: 1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓: 600 VId - 連續漏極電流: 5.4 ARds On - 漏極-源極電阻: 900 mOhmsVgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 VVgs th - 閘極-源極閾值電壓: 2.7 VQg - 閘極電荷: 10.5 nC最低工作溫度: - 55 C最高工作溫度: + 150 CPd - 功率耗散: 60 W通道模式: Enhancement商標名稱: DTMOSIV包裝: 10pcs*10/Reel Cut配置: Single下降時間: 7 ns高度: 2.3 mm長度: 6.5 mm產品類型: MOSFET上升時間: 18 ns系列: TK5P60W子類別: MOSFETs電晶體類型: 1 N-Channel典型關斷延遲時間: 50 ns典型開啟延遲時間: 40 ns寬度: 5.5 mm單位重量: 360 mg
| 產品 # | TK-TK5P60WRVQS-100 |
|---|---|
| 重量 | 50 g |
| 商品包裝尺寸 | 12 x 2 x 15 cm |
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