Manufacturer: Toshiba
Product Category: MOSFET
RoHS: Yes
Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DPAK-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Id - Continuous Drain Current: 5.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 900 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.7 V
Qg - Gate Charge: 10.5 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 60 W
Channel Mode: Enhancement
Tradename: DTMOSIV
Packaging: 10pcs*10/Reel Cut
Configuration: Single
Fall Time: 7 ns
Height: 2.3 mm
Length: 6.5 mm
Product Type: MOSFET
Rise Time: 18 ns
Series: TK5P60W
Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Typical Turn-On Delay Time: 40 ns
Width: 5.5 mm
Unit Weight: 360 mg
| 商品番号 | TK-TK5P60WRVQS-100 |
|---|---|
| 発送重量 | 50 g |
| 商品パッケージ寸法 | 12 x 2 x 15 cm |
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