【特徴】研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。【仕様】サイズ：2インチシリコンウェハ直径（mm）：50.0±0.2ウェハー厚（μm）：280±25製造方法：CZ法導電型：P型面方位：100OF方位：110抵抗値（Ω・cm）：1～100OF：有面状態：ミラー/エッチドパーティクル：ダストフリーTTV（μm）：≦25数量：25枚（1箱）※特注対応品方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し 荷姿サイズ：180×160×70 mm 180 g
| 商品番号 | AS1-67-3005-27 |
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